张清纯,

系列人物专题报道(一)

本期人物：张清纯

▲张清纯教授

从国外知名企业高管到回国任教，再到投身创业，一系列身份的转变，目的就是为了继续投身于SiC半导体技术前沿研发，打通国内SiC半导体产业链，推动国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。经过十年如一日的积淀与奋斗，成功推出了首款国内量产15V驱动SiC MOSFET以及国内最低导通电阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET——他就是复旦大学特聘教授，复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所所长，清纯半导体(宁波)有限公司创始人、董事长、CTO张清纯教授。

“在十年前，可能很难预想到如今国内的SiC半导体行业是这般的欣欣向荣，受到政策、资本、环境的多重驱动与高度青睐。当然，产业的繁荣背后，仍不得不承认，我们距离国际‘领先’还有许多路要走。”张清纯表示。

回国之路

21世纪初，在清华大学修读完本科（微电子学）与硕士（功率半导体物理与器件）后，为进一步探索与掌握国际前沿技术，张清纯经过深思熟虑，最终选择踏上海外求学之路，前往美国在宽禁带半导体材料与器件研究方向领先的南卡罗莱纳大学攻读博士。

对于出国进修的决定，张清纯表示，“坦诚而言，彼时国内对于半导体领域的重视程度以及技术积淀，整体还是较国外存在一定差距。而我当时出国进修的想法就是最大程度充实自己的知识储备与实践基础，然后为功率半导体研究和产业化作出自己的贡献。”

在国外求学工作期间，凭借对SiC产业深刻的认知、独到的见解以及系统的实操，张清纯取得了一系列令人瞩目的成就：在Rockwell等多家国际领先公司担任研发科学家并参与和领导所有碳化硅功率器件的研究和产业化，发表了超过100篇科技论文和专著，拥有100多项美国及国际专利；多次担任ISPSD/ECCE/WiPDA技术委员会成员，是ISPSD 2019碳化硅器件分会主席，国际电力电子技术路线图研讨会联合主席，碳化硅分会主席等。

2019年，机缘巧合下，张清纯欣然接受了复旦大学抛来的橄榄枝，正式回国任教，在复旦大学工程与应用技术研究院担任特聘教授、博士生导师。“放眼半导体圈，素来有‘北清华、南复旦’的说法，复旦大学在芯片领域有着深厚的学科积淀，并向中国半导体行业输送了一大批优秀创业者。国内半导体产业如日方升，但基础研究尚需夯实基础，我们应该在人才培养、学科建设和产业化方面贡献自己的一份应尽之力。”张清纯表示。

打造宁波“碳化硅谷”

集聚顶尖人才，引领产业发展！自从张清纯任教复旦大学后，复旦大学宁波研究院相关负责人第一时间联系到他，邀请其共同组建复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所（以下简称“宽禁带所”）并出任所长一职，携手打造国家级的科技研发和成果转化平台，全面引进宽禁带半导体领域优秀人才和顶尖项目集聚宁波，将宁波市建设成为真正意义上的“碳化硅谷”。

“记得是2020年的7月，在复旦大学宁波研究院的邀请下，我第一次来到宁波前湾新区考察科技创新和产业发展环境，当时就觉得这里区位优势显著、创新土壤肥沃、营商环境优异、产业配套齐全、优秀人才济济，极其适合发展碳化硅半导体产业。与此同时，研究院作为浙江省和宁波市科技研发与成果转化的重要平台，亦具备整合产业链上下游资源的雄厚实力。”对于加入研究院大家庭，张清纯表示十分欣喜。

提及宽禁带所的具体建设思路，张清纯指出，将聚焦SiC功率半导体材料缺陷表征、器件设计、器件制造工艺、封装工艺开发等主要方向，以市场需求为导向，技术创新研发为动力，高端人才培养为支撑，采用政府引导、高校支撑、企业联合研发、全产业链协同的政产学研相结合的模式，重点突破SiC材料与器件关键共性技术及先进制造工艺，联合上下游建立虚拟IDM模式，为宁波SiC优势产业集群的形成提供强有力支撑。

“宽禁带所已于2021年正式启动建设，总投入约4.6亿元，主要用于器件工艺研发与中试线、先进封装研发线、测试及可靠性平台的设备采购、能力建设和日常运营管理等。接下来，我们将按照国家级和省级重点实验室标准，加快建设面向前瞻研究与成果转化、具备国际领先水平的碳化硅半导体材料与器件高水平研发平台，力争成为国家级碳化硅半导体技术研发中心，打造宁波‘碳化硅谷’。”张清纯表示。

创立“清纯半导体”

经过在碳化硅功率器件产业化道路上多年的摸爬滚打，张清纯也逐渐萌生了自主创业的想法。在团队成员的支持与鼓励下，其于2021年3月正式创办了清纯半导体(宁波)有限公司（以下简称“清纯半导体”），以提供国际一流的碳化硅功率芯片为己任，致力打造国内领先的碳化硅功率器件设计和供应商，并获得了复旦大学宁波研究院大生态科技基金的投资支持。

自成立以来，清纯半导体凭借雄厚的技术实力，不断取得SiC MOSFET研发及产品应用的突破：今年4月正式量产了国内首款15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品，填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品空白；同年8月又推出国内最低导通电阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET，其静态导通特性和动态开关特性均达到国际一流水平，并通过了车企和tier1厂商的测试。

“很幸运能够将这二十余年的所见、所学、所得融合注入到我们的产品中。经过团队的不懈努力与各方的鼎力支持，清纯半导体已成长为目前国内唯一能够在SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产SiC MOSFET的企业。”张清纯表示。

据悉，自中国确立“双碳”目标以来，新能源产业步入跨越式发展阶段，这为以碳化硅为代表的第三代半导体产业爆发提供了宝贵的历史机遇。中国拥有全球最大的电动车市场，由于碳化硅功率器件可明显提升新能源汽车的功率密度、能效和续航里程，预计2～3年后SiC MOSFET将广泛应用于新能源车主驱，市场潜力巨大。基于此，张清纯指出，“清纯半导体已从技术研发、产品量产、质量管控、产能供应等方面做好全方位准备，致力推动SiC MOSFET国产化，支撑新能源汽车快速发展，助力实现‘双碳’战略的宏伟目标。”

“山再高，往上攀，总能登顶；路再长，走下去，定能到达。下一个十年，希望能够继续保持精益求精的匠心、久久为功的耐心，认认真真做好“碳化硅”这篇文章，以实干笃行再攀新高峰，以砥砺创新铸就新辉煌，为SiC半导体这一战略新兴产业的发展作出应有的贡献！”张清纯说道。